作者：周久人、韩根全、郝跃 字数：11.7万字 出版社：人民邮电出版社

铁电负电容场效应晶体管 针对后摩尔时代集成电路产业日益严重的功耗问题，简要介绍芯片功耗、工作电压和场效应晶体管亚阈值特性的关系，并通过解析铁电负电容场效应晶体管陡峭亚阈值特性工作机理，阐明铁电负电容场效应晶体管技术对于突破后摩尔时代功耗瓶颈的关键作用。 为明确铁电负电容场效应晶体管领域的发展现状，本书讲述该领域各个方面的代表性研究成果，一方面阐述已经取得的成果，另一方面希望通过剖析亟待解决的关键技术问题，指明未来发展方向。 本书主要内容包括氧化铪基铁电材料，铁电负电容场效应晶体管的概念及其发展历程、基本电学特性、电容匹配原则、负微分电阻（NDR）效应以及频率响应特性等。此外，本书还详细阐述了铁电负电容效应存在性研究及其本质探索的相关内容。 本书是一本理论与实践并重的专业技术图书，可供从事新型低功耗器件研究及铁电负电容场效应晶体管研究的科研工作者和相关专业的高校研究生阅读参考。

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